Η Samsung Electronics Co., Ltd., ανακοίνωσε σήμερα ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της 9ης γενιάς NAND (V-NAND) τετραπλής κυψέλης (QLC) ενός terabit (Tb).
Η πρώτη μαζική παραγωγή του κλάδου για την QLC 9ης γενιάς V-NAND ακολουθεί την πρώτη παραγωγή τριπλού επιπέδου κυψελών (TLC) 9ης γενιάς V-NAND τον Απρίλιο του 2024 και έρχεται να εδραιώσει την ηγετική θέση της Samsung στην αγορά των υψηλής χωρητικότητας και αποδόσεων NAND flash memories.
«Με την έναρξη της επιτυχημένης μαζικής παραγωγής του QLC 9ης γενιάς V-NAND μόλις τέσσερις μήνες μετά την έκδοση TLC,
